TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2

Imágenes del Producto

TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2 - 1

TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2 - 2

TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2 - 3

TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2 - 4

Información Básica

Marca

MITSUBISHI

Modelo

RD60-HUF1-101

Garantía

1

Características Principales

Transistor FET de alta potencia
Voltaje máximo de 850V
Corriente continua de 110A
Disipación de potencia de 150W
Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia

Especificaciones Técnicas

Características

Producto: TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
Marca: MITSUBISHI
Modelo: RD60HUF1101
Modo: MEJORAR_BASICO